充電倒灌保護(hù)
超級電容作為儲(chǔ)能元件，在電容能量消耗殆盡時(shí)，需要及時(shí)進(jìn)行對電容充電，防反灌保護(hù)電路用于防止超級電容電壓高于電源電壓，導(dǎo)致電流反灌流入電源，造成電源損壞，現(xiàn)有技術(shù)中大多采用串聯(lián)二極管的方式進(jìn)行反灌保護(hù)，但在大電流的情況下，由于二極管固有的管壓降，將產(chǎn)生不小的損耗，比如管壓降為0.5v的二極管流過10a電流時(shí)，產(chǎn)生的損耗為0.5v×10a＝5w。同時(shí)導(dǎo)致二極管較大的溫升，若不能良好散熱，極易引起二極管損壞。
現(xiàn)有技術(shù)中，存在利用p溝道m(xù)osfet實(shí)現(xiàn)電流反灌保護(hù)的方法，但相比于n溝道m(xù)osfet，p溝道m(xù)osfet有著較大的等效導(dǎo)通內(nèi)阻，在大電流通過時(shí)，也將產(chǎn)生不小的功率損耗，所以為降低功率損耗，應(yīng)使用n溝道m(xù)osfet實(shí)現(xiàn)電流反灌保護(hù)。
若使用n溝道m(xù)osfet，若和充電電源的正極串聯(lián)，則需要驅(qū)動(dòng)電源電壓高于充電電源，現(xiàn)有技術(shù)中，存在將mosfet和充電電源的負(fù)極串聯(lián)的方法，該方法驅(qū)動(dòng)電壓只滿足大于n溝道m(xù)osfet的導(dǎo)通電壓即可，但這樣將導(dǎo)致充電電源的負(fù)極和超級電容的負(fù)極沒有直接連接，將造成一定程度的emi影響。
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